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科锐推出突破性 GaN基固态放大器渠道

  

  科锐公司(Nasdaq: CREE)宣告推出具有改造性功率与带宽功能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新式产品系列可以使得固态放大器代替行波管,然后进步功率和牢靠性。

  科锐无线射频销售与商场总监 Tom Dekker 表明:“与同频率规模的 GaAs 晶体管比较,科锐0.25微米GaN HEMT裸芯片产品系列具有更明显的增益、功率以及功率密度。更高的增益可以完成更高功率的归纳功率计划,然后进步固态功率放大器在 C 波段、X 波段以及 Ku 波段的功能。”

  首要的商场使用包含帆海雷达、医疗成像、工业及卫星通信等范畴。与 GaAs 晶体管比较,固态放大器具有更高的牢靠性、更低的本钱以及更杰出的功率,而且可以缩小功率放大器和电源的体积。日亚化回应:未亏负中村修二!GaN HEMT 功率放大器的高功率可以有效地下降发射机的功率耗费。

  科锐无线射频事务开展司理 Ray PengELly 表明:“科锐0.25微米GaN HEMT产品具有突破性的功能,功率和带宽的明显进步完成了GaAs晶体管所不能到达的晶体管功能水平。例如,开关形式的高功率放大器(HPA)可以在微波频率段供给超越80%的功率附加功率。在功率超越10W时,GaN HEMT HPA 的瞬时带宽可达6至18GHz。0.25微米 GaN 产品所供给的杰出功能使得体系工程师可以从头规划 GaAs 晶体管和行波管。”

  在40V 漏极电压和Ku 波段作业频率规模内,全新 GaN HEMT 裸芯片产品 CGHV1J006D、CGHV1J025D 以及 CGHV1J070D 的额外输出功率分别为6W、25W 和70W。

  新式碳化硅衬底氮化镓裸芯片产品系列选用科锐专利技能,一起可扩展性的大信号器材模型可以与安捷伦公司的 Advanced Design System 以及 AWR 公司的 Microwave Office 模仿渠道相兼容,因而无线射频规划工程师可以精确地模仿先进的射频放大器电路,然后明显缩短规划周期并完成更高微波频率。0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 工艺具有业界抢先的牢靠性,并可以在 40V 的漏极电压下作业。当通道温度高达225 摄氏度时,均匀无故障运转时刻超越一百万小时。

  如欲了解更多科锐全新0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 裸芯片系列产品概况

  科锐成立于1987年,是美国上市公司(1993年,纳斯达克:CREE),为全球LED外延、芯片、封装、LED照明解决计划、化合物半导体资料、功率器材和射频于一体的闻名制造商和职业抢先者。科锐LED 照明产品的优势体现在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等方面绝无仅有的资料技能与先进的白光技能,具有1,300多项美国专利、2,900多项国际专利和近390项中国专利(以上包含已授权和在审专利),使得科锐LED产品一直处于国际抢先水平。科锐照明级大功率LED,具有光效高、色点稳、寿命长等长处。科锐在向客户供给高质量、高牢靠发光器材产品的一起也向客户供给成套的LED照明解决计划。科锐推出突破性 G科锐碳化硅金属氧化物半导体场效应管开关器材(MOSFET Switch)的导通电阻小、温度系数稳、漏电流低、开关时刻短,aN基固态放大器渠道以及科锐碳化硅肖特基功率二极管(Schottky Power Diode)零反向恢复电流等特性,使得科锐碳化硅功率器材特别适用于高频、高效、高功率密度、高牢靠性需求的电力电子体系。